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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-7001042 (2022-01-11) | |
공개번호 | 10-2022-0019046 (2022-02-15) | |
우선권정보 | 중국(CN) 201910590785.5 (2019-07-02) | |
국제출원번호 | PCT/CN2020/099418 (2020-06-30) | |
국제공개번호 | WO 2021/000868 (2021-01-07) | |
번역문제출일자 | 2022-01-11 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020227001042 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-01-11) | |
법적상태 | 공개 |
W 함유 고니켈 삼원계 양극재에 있어서, 상기 고니켈 삼원계 양극재는 구형 2차 입자와 단결정 형태 입자를 동시에 포함한다. 단결정 형태 입자 내부에는 기본적으로 W 원소가 함유되지 않으며, 구형 2차 입자에는 W 원소가 도핑된다. 이의 제조 방법은 먼저 니켈염, 코발트염 및 망간염을 몰비에 따라 혼합하고, 암모니아수와 수산화나트륨 용액을 첨가하여 공침시켜 전구체 A를 제조하는 단계; 다시 니켈염, 코발트염, 망간염 및 텅스텐염을 혼합하고 암모니아수와 수산화나트륨 용액을 통해 공침시켜 텅스텐 함유 전구체 B를 제조하는 단계; 및 전
W 함유 고니켈 삼원계 양극재에 있어서,화학식이 LiaNixCoyMn1-x-yWbMcO2이고, 상기 고니켈 삼원계 양극재는 구형 2차 입자와 단결정 형태 입자를 동시에 포함하고, 상기 단결정 형태 입자 내부에는 기본적으로 W 원소가 함유되지 않고, 상기 구형 2차 입자에는 W 원소가 도핑되는 것을 특징으로 하는 W 함유 고니켈 삼원계 양극재.
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