초록 ▼

다수의 수직 NAND 메모리 셀들을 형성하는 방법은, 부분적으로, 실리콘 기판(50) 상에 다수의 절연성 재료들(20, 30)을 형성하는 단계, 실리콘 기판의 표면을 노출시키도록 절연성 재료들에 트렌치를 형성하는 단계, 트렌치의 측벽들을 따라 폴리실리콘 층(70)을 퇴적하는 단계, 트렌치를 산화물(80)로 채우는 단계, 트렌치 위에 금속 층(90)을 형성하는 단계, 및 실리콘 기판과 금속 층 사이에 전압(98)을 인가하여, 폴리실리콘 측벽들이 용융되게 하고, 용융된 폴리실리콘 측벽들이 단결정질 채널로 재결정화될 수 있게 함으로써,

다수의 수직 NAND 메모리 셀들을 형성하는 방법은, 부분적으로, 실리콘 기판(50) 상에 다수의 절연성 재료들(20, 30)을 형성하는 단계, 실리콘 기판의 표면을 노출시키도록 절연성 재료들에 트렌치를 형성하는 단계, 트렌치의 측벽들을 따라 폴리실리콘 층(70)을 퇴적하는 단계, 트렌치를 산화물(80)로 채우는 단계, 트렌치 위에 금속 층(90)을 형성하는 단계, 및 실리콘 기판과 금속 층 사이에 전압(98)을 인가하여, 폴리실리콘 측벽들이 용융되게 하고, 용융된 폴리실리콘 측벽들이 단결정질 채널로 재결정화될 수 있게 함으로써, NAND 메모리 셀들에 대한 단결정질 채널을 형성하는 단계를 포함한다.

대표청구항 ▼

복수의 수직 NAND 메모리 셀들을 형성하는 방법으로서,실리콘 기판 상에 복수의 절연성 재료들을 형성하는 단계;상기 복수의 절연성 재료들에 트렌치를 형성하는 단계 ― 상기 트렌치는 상기 실리콘 기판의 표면을 노출시킴 ―;상기 트렌치의 측벽들을 따라 폴리실리콘 층을 퇴적하는 단계;상기 트렌치를 산화물로 채우는 단계;상기 트렌치 위에 금속 층을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 기판과 상기 금속 층 사이에 전압을 인가하여, 폴리실리콘 측벽들이 용융되게 하고, 용융된 폴리실리콘 측벽들이 단결정질 채널로 재결정화될 수 있게 함으로써, 상기 복

복수의 수직 NAND 메모리 셀들을 형성하는 방법으로서,실리콘 기판 상에 복수의 절연성 재료들을 형성하는 단계;상기 복수의 절연성 재료들에 트렌치를 형성하는 단계 ― 상기 트렌치는 상기 실리콘 기판의 표면을 노출시킴 ―;상기 트렌치의 측벽들을 따라 폴리실리콘 층을 퇴적하는 단계;상기 트렌치를 산화물로 채우는 단계;상기 트렌치 위에 금속 층을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 기판과 상기 금속 층 사이에 전압을 인가하여, 폴리실리콘 측벽들이 용융되게 하고, 용융된 폴리실리콘 측벽들이 단결정질 채널로 재결정화될 수 있게 함으로써, 상기 복수의 NAND 메모리 셀들에 대한 단결정질 채널을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.