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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-7032313 (2022-09-16) | |
공개번호 | 10-2022-0143731 (2022-10-25) | |
우선권정보 | 미국(US) 62/978,765 (2020-02-19) | |
국제출원번호 | PCT/US2021/018606 (2021-02-18) | |
국제공개번호 | WO 2021/168134 (2021-08-26) | |
번역문제출일자 | 2022-09-16 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020227032313 | |
발명자 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
그래핀은 BEOL (back-end-of-line) 반도체 프로세싱과 양립 가능한 증착 온도에서 반도체 기판의 금속 표면 상에 증착된다.그래핀은 막 품질을 개선하기 위해 반도체 기판 내의 재료들의 온도 민감성 한계 (temperature sensitive limit) 와 증착 온도 사이의 온도에서 어닐링될 수도 있다.대안적으로, 그래핀은 하나 이상의 산화제 종을 사용한 플라즈마 노출에 의해 처리될 수도 있다.그래핀은 에칭 정지 층 및 기밀 배리어로 캡슐화될 수도 있고, 에칭 정지 층은 그래핀의 막 품질을 개선하거나 변화시키지 않는
반도체 기판 내에 그래핀 (graphene) 을 캡슐화하는 (encapsulating) 방법에 있어서,반도체 기판을 제공하는 단계로서, 상기 반도체 기판은 유전체 층 내에 형성된 금속 층을 포함하는, 상기 반도체 기판을 제공하는 단계;상기 금속 층 상에 그래핀을 선택적으로 증착하는 단계로서, 상기 반도체 기판은 그래핀의 선택적인 증착 동안 반도체 프로세싱 온도 한계보다 보다 낮은 증착 온도로 유지되는, 상기 선택적으로 증착하는 단계; 열-기반 증착 기법에 의해 적어도 상기 그래핀 위에 금속 옥사이드를 증착하는 단계; 및상기 금속 옥
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