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초록▼
본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되는 리튬 니켈계 산화물을 포함하고, 하기 식 (1)로 표시되는 단입자화도가 0.3 내지 0.8인 양극재 분말을 제공한다. [화학식 1]LiaNibCocM1dM2eO2상기 [화학식 1]에서, M1은 Mn, Al 또는 이들의 조합이고, M2는 Ba, Ca, Zr, Ti, Mg, Ta, Nb 및 Mo으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이며, 0.80≤a ≤1.20, 0.55≤b<1, 0<c<0.45, 0<d<0.45, 0≤e≤0.20이다.식 (1): 단입자화도 = 상기
본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되는 리튬 니켈계 산화물을 포함하고, 하기 식 (1)로 표시되는 단입자화도가 0.3 내지 0.8인 양극재 분말을 제공한다. [화학식 1]LiaNibCocM1dM2eO2상기 [화학식 1]에서, M1은 Mn, Al 또는 이들의 조합이고, M2는 Ba, Ca, Zr, Ti, Mg, Ta, Nb 및 Mo으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이며, 0.80≤a ≤1.20, 0.55≤b<1, 0<c<0.45, 0<d<0.45, 0≤e≤0.20이다.식 (1): 단입자화도 = 상기 식 (1)에서, Ri는 상기 양극재 분말을 적용하여 제조된 전극을 이온 밀링 처리한 후 전극 단면을 후방산란전자회절(Electoron BackSactter Diffraction, EBSD) 분석하였을 때 측정되는 i번째 그레인(grain)의 반직경이고, 상기 n은 상기 후방산란전자회절(Electoron BackSactter Diffraction, EBSD) 분석을 통해 측정된 그레인(grain)의 총 개수로 350 내지 450이고, 상기 D50은 레이저 회절 입도 분석기를 통해 측정한 상기 양극재 분말의 체적 누적 평균 입경이다.
대표청구항▼
하기 화학식 1로 표시되는 리튬 니켈계 산화물을 포함하고, 하기 식 (1)로 표시되는 단입자화도가 0.3 내지 0.8인 양극재 분말.[화학식 1]LiaNibCocM1dM2eO2상기 [화학식 1]에서, M1은 Mn, Al 또는 이들의 조합이고, M2는 Ba, Ca, Zr, Ti, Mg, Ta, Nb 및 Mo으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이며, 0.80≤a ≤1.20, 0.55≤b<1, 0<c<0.45, 0<d<0.45, 0≤e≤0.20임.식 (1): 단입자화도= 상기 식 (1)에서, Ri는 상기
하기 화학식 1로 표시되는 리튬 니켈계 산화물을 포함하고, 하기 식 (1)로 표시되는 단입자화도가 0.3 내지 0.8인 양극재 분말.[화학식 1]LiaNibCocM1dM2eO2상기 [화학식 1]에서, M1은 Mn, Al 또는 이들의 조합이고, M2는 Ba, Ca, Zr, Ti, Mg, Ta, Nb 및 Mo으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이며, 0.80≤a ≤1.20, 0.55≤b<1, 0<c<0.45, 0<d<0.45, 0≤e≤0.20임.식 (1): 단입자화도= 상기 식 (1)에서, Ri는 상기 양극재 분말을 적용하여 제조된 전극을 이온 밀링 처리한 후 상기 전극을 후방산란전자회절(Electoron BackSactter Diffraction, EBSD) 분석하였을 때 측정되는 i번째 그레인의 반직경이며, 상기 n은 상기 후방산란전자회절(Electoron BackSactter Diffraction, EBSD) 분석을 통해 측정된 그레인의 총 개수로 350 내지 450이고, 상기 D50은 입도 분석기를 통해 측정한 상기 양극재 분말의 체적 누적 평균 입경임.
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