바딩 마이클 에드워드
/ 미국 뉴욕 ***** 코닝 원 리버프런트 플라자 코닝 인코포레이티드
장원석
/ 서울특별시 송파구 잠실로 **, ***동 ****호 (잠실동, 트리지움)
장재명
/ 충청남도 아산시 탕정면 탕정로 *** 코닝정밀소재
송 젠
/ 미국 뉴욕 ***** 코닝 원 리버프런트 플라자 코닝 인코포레이티드
허성
/ 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (삼성전자종합기술원)
출원인 / 주소
삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
코닝 인코포레이티드 / 미국 뉴욕 (우편번호 *****) 코닝 원 리버프론트 플라자
대리인 / 주소
리앤목특허법인
법적상태
공개
초록▼
양극 활물질을 포함하는 양극층; 음극집전체 및 제1음극 활물질층을 포함하는 음극층; 및 상기 양극층과 음극층 사이에 배치되며, 고체 전해질을 포함하는 고체 전해질층을 포함하는 전고체 이차전지이며, 상기 제1음극 활물질층은 상기 고체 전해질층과 인접되게 배치되고, 상기 제1음극 활물질층은 M1, M2, M3 및 X를 함유하는 다원계 금속 복합체를 포함하며, 상기 다원계 금속 복합체에서 M1M2M3X 대비 M2M3X의 원자비(M2M3X/M1M2M3X)가 0.5 내지 0.84이며, M1 이온 대비 M2M3X의 원자비(M2M3X/ M1)는
양극 활물질을 포함하는 양극층; 음극집전체 및 제1음극 활물질층을 포함하는 음극층; 및 상기 양극층과 음극층 사이에 배치되며, 고체 전해질을 포함하는 고체 전해질층을 포함하는 전고체 이차전지이며, 상기 제1음극 활물질층은 상기 고체 전해질층과 인접되게 배치되고, 상기 제1음극 활물질층은 M1, M2, M3 및 X를 함유하는 다원계 금속 복합체를 포함하며, 상기 다원계 금속 복합체에서 M1M2M3X 대비 M2M3X의 원자비(M2M3X/M1M2M3X)가 0.5 내지 0.84이며, M1 이온 대비 M2M3X의 원자비(M2M3X/ M1)는 1.0 내지 5.0인 전고체 이차전지 및 그 제조방법이 제시된다. 여기에서 M1, M2, M3 및 X는 상세한 설명에서 정의된 바와 같다.
대표청구항▼
양극 활물질을 포함하는 양극층; 음극집전체 및 제1음극 활물질층을 포함하는 음극층; 및상기 양극층과 음극층 사이에 배치되며, 고체 전해질을 포함하는 고체 전해질층을 포함하는 전고체 이차전지이며,상기 제1음극 활물질층은 상기 고체 전해질층과 인접되게 배치되고, 상기 제1음극 활물질층은 M1, M2, M3 및 X를 함유하는 다원계 금속 복합체를 포함하며,상기 다원계 금속 복합체에서 M1M2M3X 대비 M2M3X의 원자비(M2M3X/M1M2M3X)가 0.5 내지 0.84이며, M1 이온 대비 M2M3X의 원자비(M2M3X/ M1)는 1.
양극 활물질을 포함하는 양극층; 음극집전체 및 제1음극 활물질층을 포함하는 음극층; 및상기 양극층과 음극층 사이에 배치되며, 고체 전해질을 포함하는 고체 전해질층을 포함하는 전고체 이차전지이며,상기 제1음극 활물질층은 상기 고체 전해질층과 인접되게 배치되고, 상기 제1음극 활물질층은 M1, M2, M3 및 X를 함유하는 다원계 금속 복합체를 포함하며,상기 다원계 금속 복합체에서 M1M2M3X 대비 M2M3X의 원자비(M2M3X/M1M2M3X)가 0.5 내지 0.84이며, M1 이온 대비 M2M3X의 원자비(M2M3X/ M1)는 1.0 내지 5.0이며, M1은 1족 원소, 2족 원소 또는 그 조합이며, M2는 Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Al, Ge, Y, Zr, Hf, Nb, Tc, Rh, Cd, In, B, Si, P, F, Cl, Br, I, S, As, Re, Hg, Tl, Pb, Bi, Au, Ag, Pd, Mo, Sn, Nb, Sr, Mo, Pd 중에서 선택된 1종 이상의 원소; 또는 상기 원소와, C 및 N 중에서 선택된 하나 이상의 조합이며, M3은 Ti, Nb, Sb, Bi, Ta, Mo, Ru, Pd, Ag, Sn, Se, Te, W, Os, Ir, Pt, Au 중에서 선택된 1종 이상이며,X는 O, N, P, 또는 그 조합인, 전고체 이차전지.
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