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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2023-0049616 (2023-04-14) | |
공개번호 | 10-2024-0153194 (2024-10-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020230049616 | |
발명자 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명은 금속 실리콘(Metallurgical Silicon) 분말을 제1 분쇄하는 단계; 상기 제1 분쇄된 금속 실리콘 분말을 제2 분쇄하여 평균 입경(Dmax)이 300μm 이하인 금속 실리콘 분말을 형성하는 단계; 상기 제2 분쇄된 금속 실리콘 분말을 제3 분쇄하여 평균 입경(D50)이 4 내지 6μm인 금속 실리콘 분말을 형성하는 단계; 및 상기 제3 분쇄된 금속 실리콘 분말을 필터링하여 SPAN((D90-D10)/D50) 값이 1 이하인 금속 실리콘 분말을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제2 분쇄는 2회 이상으로 수행되
금속 실리콘(Metallurgical Silicon) 분말을 제1 분쇄하는 단계;상기 제1 분쇄된 금속 실리콘 분말을 제2 분쇄하여 입경(Dmax)이 300μm 이하인 금속 실리콘 분말을 형성하는 단계;상기 제2 분쇄된 금속 실리콘 분말을 제3 분쇄하여 평균 입경(D50)이 4 내지 6μm인 금속 실리콘 분말을 형성하는 단계; 및상기 제3 분쇄된 금속 실리콘 분말을 필터링하여 SPAN((D90-D10)/D50) 값이 1 이하인 금속 실리콘 분말을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제2 분쇄는 2회 이상으로 수행되는 리튬 이차 전지용 음
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