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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2023-0063348 (2023-05-16) | |
공개번호 | 10-2023-0070441 (2023-05-23) | |
등록번호 | 10-2689081-0000 (2024-07-23) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020160178757 (2016-12-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020230063348 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2023-06-12) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 식각용 조성물 및 이 식각용 조성물을 이용한 식각 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 식각용 조성물은 제 1 무기산, 제 1 첨가제, 그리고 용매를 포함한다.상기 식각용 조성물은 산화막의 식각율을 최소화하면서 질화막을 선택적으로 제거할 수 있으며, 소자 특성에 악영향을 미치는 파티클 발생 등의 문제점을 갖지 않는 고선택비의 식각용 조성물이다.
제 1 무기산,하기 화학식 1로 표시되는 제 1 첨가제,용매, 그리고제 2 무기산과 실란 화합물을 반응시켜 제조된 실란 무기산염을 포함하는 제 2 첨가제를 포함하는 식각용 조성물.[화학식 1](상기 화학식 1에서,상기 X는 O이고, 상기 R1 내지 R6는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 아미노알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬카보닐기, 탄소수 1 내지 20의 알킬카보닐옥시기 및
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