본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물; 및 상기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물 표면에 이온전도성 코팅층;을 포함한다. [화학식 1] rLi2MnO3·(1-r)LiaNixCoyMnzM11-(x+y+z)O2(상기 화학식 1에서 0<r≤0.6, 0<a≤1, 0≤x≤1, 0≤y<1, 0≤z<1, 및 0<x+y+z≤1 이고, 상기 M1은 Na, K, Mg, Al, Fe, Cr, Y, Sn, Ti, B, P, Zr, Ru, Nb, W, Ba, Sr,La, Ga, Mg, Gd,
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물; 및 상기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물 표면에 이온전도성 코팅층;을 포함한다. [화학식 1] rLi2MnO3·(1-r)LiaNixCoyMnzM11-(x+y+z)O2(상기 화학식 1에서 0<r≤0.6, 0<a≤1, 0≤x≤1, 0≤y<1, 0≤z<1, 및 0<x+y+z≤1 이고, 상기 M1은 Na, K, Mg, Al, Fe, Cr, Y, Sn, Ti, B, P, Zr, Ru, Nb, W, Ba, Sr,La, Ga, Mg, Gd, Sm, Ca, Ce, Fe, Al, Ta, Mo, Sc, V, Zn, Cu, In, S, B , Ge, Si 및 Bi 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상임).
대표청구항▼
하기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물; 및상기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물 표면에 이온전도성 코팅층;을 포함하고, 상기 이온전도성 코팅층은 하기 화학식 2로 표시되는 물질을 포함하고,1차 입자가 응집되어 2차 입자를 형성하고, 크기가 500 nm 초과 10 μm 이하인 1차 입자가 상기 2차 입자를 구성하는 1차 입자 중에 50 내지 100 부피% 인,이차전지용 양극활물질:[화학식 1] rLi2MnO3·(1-r)LiaNixCoyMnzM11-(x+y+z)O2(상기 화학식 1에서 0<r≤0.6, 0
하기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물; 및상기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물 표면에 이온전도성 코팅층;을 포함하고, 상기 이온전도성 코팅층은 하기 화학식 2로 표시되는 물질을 포함하고,1차 입자가 응집되어 2차 입자를 형성하고, 크기가 500 nm 초과 10 μm 이하인 1차 입자가 상기 2차 입자를 구성하는 1차 입자 중에 50 내지 100 부피% 인,이차전지용 양극활물질:[화학식 1] rLi2MnO3·(1-r)LiaNixCoyMnzM11-(x+y+z)O2(상기 화학식 1에서 0<r≤0.6, 0<a≤1, 0≤x≤1, 0≤y<1, 0≤z<1, 및 0<x+y+z≤1 이고, 상기 M1은 Na, K, Mg, Al, Fe, Cr, Y, Sn, Ti, B, P, Zr, Ru, Nb, W, Ba, Sr, La, Ga, Mg, Gd, Sm, Ca, Ce, Fe, Al, Ta, Mo, Sc, V, Zn, Cu, In, S, B, Ge, Si 및 Bi 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상임),[화학식 2] LiaM2bOc(상기 화학식 2에서, 0<a≤4, 0<b≤5 및 0<c≤12이고, M2는 Ti, Al, 및 Zr 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상임).
발명자의 다른 특허 :
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이 특허에 인용된 특허 (3)
[한국]
고용체 활물질을 포함하는 정극 활물질, 상기 정극 활물질을 포함하는 정극 및 상기 정극을 사용한 비수 전해질 2차 전지 |
야마모토 신지,
이토 아츠시,
고바야시 겐키,
마츠모토 후토시
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