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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2023-0096715 (2023-07-25) | |
공개번호 | 10-2023-0118529 (2023-08-11) | |
우선권정보 | 중국(CN) 202210943730.X (2022-08-08) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020230096715 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2023-07-25) | |
법적상태 | 공개 |
초기 쿨롱 효율이 높은 리튬-도핑 실리콘 산화물 복합 음극 재료 및 제조 방법이 제공되며, 이는 리튬 배터리용 음극 재료의 분야와 관련된다. 재료는 나노-실리콘, 리튬 실리케이트 및 도전성 탄소층을 포함한다. 리튬-도핑 실리콘 산화물 복합 음극 재료의 XRD 패턴에서 2θ가 24.7±0.2°인 Li2Si2O5(111)의 회절 피크 강도는 I1이고, XRD 패턴에서 2θ가 26.8±0.3°인 Li2SiO3(111)의 회절 피크 강도는 I2이고, I1/I2<0.25이다. 본 발명에 제공된 재료는 특정 상 조성비를 가져서, 높은 초
나노-실리콘, 리튬 실리게이트 및 전도성 탄소층을 포함하는 리튬-도핑 실리콘 산화물 복합 음극 재료로서, 리튬-도핑 실리콘 산화물 복합 음극 재료의 XRD 패턴에서 2θ가 24.7±0.2°인 Li2Si2O5(111)의 회절 피크 강도는 I1이고, XRD 패턴에서 2θ가 26.8±0.3°인 Li2SiO3(111)의 회절 피크 강도는 I2이고, I1/I2<0.25인 리튬-도핑 실리콘 산화물 복합 음극 재료.
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