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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2023-7013858 (2023-04-24) | |
공개번호 | 10-2023-0058551 (2023-05-03) | |
등록번호 | 10-2572999-0000 (2023-08-28) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2016-239821 (2016-12-09) | |
국제출원번호 | PCT/IB2017/057598 (2017-12-04) | |
국제공개번호 | WO 2018/104838 (2018-06-14) | |
번역문제출일자 | 2023-04-24 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020237013858 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2023-04-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
고체 전해질을 포함한 층을 사용하는 고체 전지에서 양극과 음극간의 단락을 방지하기 위한 층을 제공한다.양극과 음극 사이의 고체 전해질로서 그래핀 화합물을 포함한 층을 사용한다.리튬 이온은 그래핀 화합물을 포함한 층을 통과할 수 있다.그래핀 화합물을 포함한 층에 리튬 이온을 미리 첨가한다.구체적으로는 수식제를 사용하고, 에터 및 에스터 등의 관능기에 의하여 화학 수식되고 층간 거리가 길어진 그래핀 화합물을 사용한다.
다음 일반식(G1) 또는 (G2)으로 나타내어지는, 그래핀 화합물:상기 식에서, G layer는 그래핀층을 나타내고, R1은 치환 또는 비치환된 알킬기를 나타내고,R2는 수소 또는 치환 또는 비치환된 알킬기를 나타낸다.
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