본 출원은 변성 하이니켈 삼원 양극재를 제공함에 있어서, 코어 및 내외 2층의 코팅층을 포함하고, 상기 코어는 하이니켈 삼원 양극재 기재를 포함하고, 상기 기재는 M1, M2 및 W로 도핑되며, 여기서 상기 M1은 Mo, Zr, Ti, Sb, Nb, Te 중 하나이고, 상기 M2는 Mg, Al, Ca, Zn, Sr 중 하나이며, M1, M2 및 W로 도핑된 하이니켈 삼원 양극재 기재의 화학식은 Li1+a[NixCoyMnzM1bM2cWd]O2이며, 여기서 0.65≤x<1, 0≤y<0.3, 0≤z<0.3, 0<a&
본 출원은 변성 하이니켈 삼원 양극재를 제공함에 있어서, 코어 및 내외 2층의 코팅층을 포함하고, 상기 코어는 하이니켈 삼원 양극재 기재를 포함하고, 상기 기재는 M1, M2 및 W로 도핑되며, 여기서 상기 M1은 Mo, Zr, Ti, Sb, Nb, Te 중 하나이고, 상기 M2는 Mg, Al, Ca, Zn, Sr 중 하나이며, M1, M2 및 W로 도핑된 하이니켈 삼원 양극재 기재의 화학식은 Li1+a[NixCoyMnzM1bM2cWd]O2이며, 여기서 0.65≤x<1, 0≤y<0.3, 0≤z<0.3, 0<a<0.2, 0<b<0.1, 0<c<0.1, 0<d<0.1, x+y+z+b+c+d=1이고, 선택적으로 0.8≤x<1이며, 상기 코어의 표층은 Co로 도핑되고, 상기 내부 코팅층은 Co 함유 화합물이고, 상기 외부 코팅층은 Al 함유 화합물 및 B 함유 화합물이다. 본 출원은 또한 변성 하이니켈 삼원 양극재를 제조하기 위한 방법, 이차전지, 전지모듈, 전지팩 및 전기기기에 관한 것이다.
대표청구항▼
변성 하이니켈 삼원 양극재에 있어서,코어 및 내외 2층의 코팅층을 포함하고,상기 코어는 하이니켈 삼원 양극재 기재를 포함하고, 상기 기재는 M1, M2 및 W로 도핑되며, 여기서 상기 M1은 Mo, Zr, Ti, Sb, Nb, Te 중 하나이고, 상기 M2는 Mg, Al, Ca, Zn, Sr 중 하나이며, M1, M2 및 W로 도핑된 하이니켈 삼원 양극재 기재의 화학식은 Li1+a[NixCoyMnzM1bM2cWd]O2이며, 여기서 0.65≤x<1, 0≤y<0.3, 0≤z<0.3, 0<a<0.2, 0<
변성 하이니켈 삼원 양극재에 있어서,코어 및 내외 2층의 코팅층을 포함하고,상기 코어는 하이니켈 삼원 양극재 기재를 포함하고, 상기 기재는 M1, M2 및 W로 도핑되며, 여기서 상기 M1은 Mo, Zr, Ti, Sb, Nb, Te 중 하나이고, 상기 M2는 Mg, Al, Ca, Zn, Sr 중 하나이며, M1, M2 및 W로 도핑된 하이니켈 삼원 양극재 기재의 화학식은 Li1+a[NixCoyMnzM1bM2cWd]O2이며, 여기서 0.65≤x<1, 0≤y<0.3, 0≤z<0.3, 0<a<0.2, 0<b<0.1, 0<c<0.1, 0<d<0.1, x+y+z+b+c+d=1이고, 선택적으로 0.8≤x<1이며,상기 코어의 표층은 Co로 도핑되고,상기 내부 코팅층은 Co 함유 화합물이고, 상기 외부 코팅층은 Al 함유 화합물 및 B 함유 화합물인 것을 특징으로 하는 변성 하이니켈 삼원 양극재.
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