초록 ▼

기판에 부착되는 파티클을 저감할 수 있는 플라스마 처리 장치가 제공된다.본 개시에 관한 플라스마 처리 장치는, 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치이며, 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 기판 지지부이며, 상기 기판 지지부는, 기판을 지지하는 영역 및 상기 영역의 주위에 마련된 에지 링을 갖고 있고, 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와, 상기 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와, 상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부와 상기 기판의 거리를 제어하는 리프터와, 제어부를 구비하고, 상기

기판에 부착되는 파티클을 저감할 수 있는 플라스마 처리 장치가 제공된다.본 개시에 관한 플라스마 처리 장치는, 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치이며, 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 기판 지지부이며, 상기 기판 지지부는, 기판을 지지하는 영역 및 상기 영역의 주위에 마련된 에지 링을 갖고 있고, 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와, 상기 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와, 상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부와 상기 기판의 거리를 제어하는 리프터와, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 리프터에 의해, 상기 기판 지지부로부터 제1 거리에 있는 제1 위치에 상기 기판을 위치시키고, 상기 기판이 상기 제1 위치에 있는 상태에서, 상기 플라스마 생성부에 의해 상기 챔버 내에 플라스마를 생성하고, 상기 챔버 내에 상기 플라스마가 생성된 상태에서, 상기 리프터에 의해, 상기 기판을 상기 제1 위치로부터 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판 지지부에 적재하는 제어를 실행한다.

대표청구항 ▼

기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치이며,챔버와,상기 챔버 내에 마련된 기판 지지부이며, 상기 기판 지지부는, 기판을 지지하는 영역 및 상기 영역의 주위에 마련된 에지 링을 갖고 있고, 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와,상기 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와,상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부와 상기 기판의 거리를 제어하는 리프터와제어부를 구비하고, 상기 제어부는,상기 리프터에 의해, 상기 기판 지지부로부터 제1 거리에 있는 제1 위치에 상기 기판을 위치시키고,상기 기판이

기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치이며,챔버와,상기 챔버 내에 마련된 기판 지지부이며, 상기 기판 지지부는, 기판을 지지하는 영역 및 상기 영역의 주위에 마련된 에지 링을 갖고 있고, 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와,상기 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와,상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부와 상기 기판의 거리를 제어하는 리프터와제어부를 구비하고, 상기 제어부는,상기 리프터에 의해, 상기 기판 지지부로부터 제1 거리에 있는 제1 위치에 상기 기판을 위치시키고,상기 기판이 상기 제1 위치에 있는 상태에서, 상기 플라스마 생성부에 의해 상기 챔버 내에 플라스마를 생성하고,상기 챔버 내에 상기 플라스마가 생성된 상태에서, 상기 리프터에 의해, 상기 기판을 상기 제1 위치로부터 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판 지지부에 적재하는,제어를 실행하는, 플라스마 처리 장치.