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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록실용신안 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 20-1997-0045408 (1997-12-31) |
공개번호 | 20-1999-0032643 (1999-07-26) |
등록번호 | 20-0183550-0000 (2000-03-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/2019970045408 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1997-12-31) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 고안은 반도체 웨이퍼 현상장치의 압력분사형 노즐에 관한 것으로, 종래 기술은 웨이퍼에 현상액을 분사시 노즐에서 분사되는 고압의 현상액으로 인해 고집적화되어 가는 웨이퍼의 미세패턴 형성시 패턴의 불량을 유발하는 바, 이에 본 고안은 내부에 현상액 공급라인이 구비된 몸체와, 그 몸체의 하부에 소정 각도 벌어진 상태로 고정 설치되는 플랜지와, 상기 몸체의 내부에 연결 설치되어 순수 및 질소를 공급하는 순수/질소 공급라인과, 그 순수/질소 공급라인의 일측 외주연에 소정 각도 벌어진 상태로 고정 설치되어 현상액의 분사압력을 감소시키는 분
내부에 현상액 공급라인이 구비된 몸체와, 그 몸체의 하부에 소정 각도 벌어진 상태로 고정 설치되는 플랜지와, 상기 몸체의 내부에 연결 설치되어 순수 및 질소를 공급하는 순수/질소 공급라인과, 그 순수/질소 공급라인의 일측 외주연에 소정 각도 벌어진 상태로 고정 설치되어 현상액의 분사압력을 감소시키는 분사각 조절대로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 현상장치의 압력분산형 노즐.
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