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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록실용신안 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 20-2001-0030237 (2001-10-04) |
등록번호 | 20-0269266-0000 (2002-03-11) |
DOI | http://doi.org/10.8080/2020010030237 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 설정등록의뢰 |
법적상태 | 소멸 |
대기압 상온 플라즈마 에칭장치에 대해 개시한다. 본 고안의 대기압 상온 플라즈마 에칭장치는, 웨이퍼의 엣지영역을 드러나게 웨이퍼커버를 형성하고, 상기 웨이퍼 엣지부분을 사이에 두면서 웨이퍼커버의 외주면과 일정한 간격을 유지하고, 플라즈마용 가스가 안쪽으로 유입되도록 플라즈마활성벽을 형성시킨 것을 특징으로 한다. 본 고안에 따르면, 웨이퍼 엣지의 결함으로 인한 전체적인 웨이퍼의 오염을 방지하며, 플라즈마가스의 웨이퍼 칩생성영역 침입을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 칩의 수율을 향상시키는 장점이 있다.
전원공급에 의한 방전이 이루어지는 상부전극 및 하부전극; 상기 상부전극 및 하부전극에 각각 결합되고, 서로 대향 배치되어 반응공간을 형성하는 상부유전체 및 하부유전체; 상기 상부유전체에 결합되고 웨이퍼의 엣지영역을 드러나게 함과 동시에 웨이퍼의 칩생성영역으로 플라즈마가스 유입을 방지하는 웨이퍼커버; 상기 웨이퍼커버의 외주면과의 전하 충진에 의한 플라즈마 이온화를 활성화시키기 위해 웨이퍼 엣지부분을 사이에 두면서 웨이퍼커버의 외주면과 일정한 간격을 유지하고, 플라즈마용가스가 유입되도록 상부유전체와 이격시켜 하부유전체에 결합된 플라즈마
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