초록

대기압 상온 플라즈마 에칭장치에 대해 개시한다. 본 고안의 대기압 상온 플라즈마 에칭장치는, 웨이퍼의 엣지영역을 드러나게 웨이퍼커버를 형성하고, 상기 웨이퍼 엣지부분을 사이에 두면서 웨이퍼커버의 외주면과 일정한 간격을 유지하고, 플라즈마용 가스가 안쪽으로 유입되도록 플라즈마활성벽을 형성시킨 것을 특징으로 한다. 본 고안에 따르면, 웨이퍼 엣지의 결함으로 인한 전체적인 웨이퍼의 오염을 방지하며, 플라즈마가스의 웨이퍼 칩생성영역 침입을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 칩의 수율을 향상시키는 장점이 있다.

대표청구항 ▼

전원공급에 의한 방전이 이루어지는 상부전극 및 하부전극; 상기 상부전극 및 하부전극에 각각 결합되고, 서로 대향 배치되어 반응공간을 형성하는 상부유전체 및 하부유전체; 상기 상부유전체에 결합되고 웨이퍼의 엣지영역을 드러나게 함과 동시에 웨이퍼의 칩생성영역으로 플라즈마가스 유입을 방지하는 웨이퍼커버; 상기 웨이퍼커버의 외주면과의 전하 충진에 의한 플라즈마 이온화를 활성화시키기 위해 웨이퍼 엣지부분을 사이에 두면서 웨이퍼커버의 외주면과 일정한 간격을 유지하고, 플라즈마용가스가 유입되도록 상부유전체와 이격시켜 하부유전체에 결합된 플라즈마

전원공급에 의한 방전이 이루어지는 상부전극 및 하부전극; 상기 상부전극 및 하부전극에 각각 결합되고, 서로 대향 배치되어 반응공간을 형성하는 상부유전체 및 하부유전체; 상기 상부유전체에 결합되고 웨이퍼의 엣지영역을 드러나게 함과 동시에 웨이퍼의 칩생성영역으로 플라즈마가스 유입을 방지하는 웨이퍼커버; 상기 웨이퍼커버의 외주면과의 전하 충진에 의한 플라즈마 이온화를 활성화시키기 위해 웨이퍼 엣지부분을 사이에 두면서 웨이퍼커버의 외주면과 일정한 간격을 유지하고, 플라즈마용가스가 유입되도록 상부유전체와 이격시켜 하부유전체에 결합된 플라즈마활성벽; 공정진행시 상부유전체와 하부유전체 사이에 형성되어 플라즈마용 가스를 공급하는 가스공급부; 및 공정진행시 상부유전체와 하부유전체 사이에 형성되어 플라즈마가스를 배출하는 가스배출부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 대기압 상온 플라즈마 에칭장치.