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[한국특허] 반도체 및 LCD의 생산공정에 사용되는 질소공급용 배관
A pipe for suppiying nitrogen gas of using aproduction plants to semiconductor and LCD
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록실용신안
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/02
출원번호 20-2003-0024345 (2003-07-28)
등록번호 20-0331002-0000 (2003-10-13)
DOI http://doi.org/10.8080/2020030024345
발명자 / 주소
  • 민병룡 / 경기도수원시팔달구망포동늘푸른벽산아파트***-****호
출원인 / 주소
  • 주식회사 세미라인 / 경기 화성시 정남면 계향리 ***-*
대리인 / 주소
  • 특허법인중앙 (CENTRAL INTERNATIONAL PATENT FIRM)
  • 서울 종로구 수송동 코리안리재보험빌딩 *층
심사진행상태 설정등록의뢰
법적상태 소멸

초록

본 고안은 점착성 고화물을 제거하기 위하여 배관부에 주입되는 질소가스가 방향성과 회전성을 갖도록 하여 내벽에 부착된 점착성 고화물에 대한 제거효율을 높임에 따라 배관 내 적체 및 점착이 심한 부위, 특히 연동밸브 In-Let부, 연동밸브 Out-Let부의 가연 배기부, Scrubber와 연결되는 Fore Line배관부에 설치하여, 각 배관부의 막힘현상과 작동불량을 현저하게 줄일 수 있으며, 따라서 청소주기를 연장시킬 수 있고, 유지 및 보수기간을 늘릴 수 있을 뿐만 아니라 생산량 증가와 생산원가의 절감을 가져올 수 있는 반도체 및

대표청구항

반도체 및 LCD 생산공정시 질소공급장치로부터 공급된 고온의 질소가스를 배관부에 주입하기 위한 질소공급용 배관에 있어서,좌.우 양쪽은 소정의 배관부와 결합되기 위해 개방된 원통형의 몸체(10)가 있고, 상기 몸체(10)의 중앙부에는 외주면을 따라 공간부가 형성되도록 외벽(20)이 장착되며, 상기 외벽(20) 일측에는 별도로 장착된 질소공급기(2)로 부터 공급된 고온의 질소가스가 주입되는 질소 주입부(30)가 형성되고, 상기 질소 주입부(30)를 통하여 주입된 질소가스가 몸체(10) 내부로 분사되기 위한 분사공(40)이 몸체(10)

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