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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0459437 (2003-06-10) |
공개번호 | US-0206473 (2003-11-06) |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
A method and system for minimizing a leaked current within an array of memory cells as well as a method and system for differentiating a resistive value within a sensed memory cell during a read operation are disclosed. The memory array includes a plurality of bit lines and word lines that are cross
1. A data storage device, comprising:a plurality of word lines; a plurality of bit lines; a resistive crosspoint array of memory cells, each memory cell being connected to a bit line and connected to an isolation diode that further connects to a respective word line, the isolation diode providing a
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