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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0062465 (2016-03-07) |
공개번호 | US-0172467 (2016-06-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
A method of fabricating a semiconductor device includes forming at least one semiconductor fin on a semiconductor substrate. A plurality of gate formation layers is formed on an etch stop layer disposed on the fin. The plurality of gate formation layers include a dummy gate layer formed from a diele
1. A method of fabricating a semiconductor device, the method comprising: forming at least one semiconductor fin on a semiconductor substrate;forming an etch stop layer on an upper surface of the at least one semiconductor fin;forming a plurality of gate formation layers on the etch stop layer and t
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