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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0125469 (1971-03-18) |
우선권정보 | JA-0026397 (1970-03-27); JA-0026398 (1970-03-27); JA-0032823 (1970-04-16) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0 |
Whisker crystalline silicon carbide is prepared by heating a silicon-containing material for example, elemental silicon, silicon oxides, silicon hydroxides, silicon salts and the like with a halogen and carbon-containing material, such as a mixture of hydrocarbon and chlorine-containing material sel
A process of manufacturing whisker crystalline silicon carbide which comprises heating a reaction system containing 1. a solid phase consisting essentially of fine solid particles of silicon dioxide-containing inorganic material, and 2. a gaseous mixture consisting essentially of chlorine-containing
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