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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0183584 (1971-09-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 0 |
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In a process producing polycrystalline silicon by the hydrogen reduction of trichlorosilane with hydrogen to produce silicon, unreacted trichlorosilane, and silicon tetrachloride and separating the trichlorosilane from the silicon tetrachloride, the improvement which comprises mixing the separated s
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