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[미국특허] Process for production of polycrystalline silicon 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C01B-033/00
  • C01B-033/02
  • C01B-033/08
출원번호 US-0183584 (1971-09-24)
발명자 / 주소
  • Rodgers Michael A. (Tempe AZ)
출원인 / 주소
  • Motorola, Inc. (Chicago IL 02)
인용정보 피인용 횟수 : 29  인용 특허 : 0

초록

There is disclosed a process for the hydrogen reduction of silicon tetrachloride to produce trichlorosilane. In accordance with the process, hydrogen and silicon tetrachloride vapors are passed through a reaction chamber at relatively high flow rates with approximately 50 mole percent silicon tetrac

대표청구항

In a process producing polycrystalline silicon by the hydrogen reduction of trichlorosilane with hydrogen to produce silicon, unreacted trichlorosilane, and silicon tetrachloride and separating the trichlorosilane from the silicon tetrachloride, the improvement which comprises mixing the separated s

이 특허를 인용한 특허 (29) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Fahrenbruck, Scott; Hazeltine, Bruce; Schweyen, Andrew; Skinner, Shawn, Apparatus and methods for conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane.
  2. Burgie Richard Anthony ; Fleming Eric Michael,CAX, Chlorosilane and hydrogen reactor.
  3. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi, Fluidized bed reactor systems.
  4. Erk, Henry F., Fluidized bed reactor systems and distributors for use in same.
  5. Sarma Kalluri R. (Tempe AZ) Rice ; Jr. M. John (Tempe AZ), High pressure plasma hydrogenation of silicon tetrachloride.
  6. Tadahiro Ohmi JP; Yoshio Ishihara JP; Koh Matsumoto JP; Tetsuya Kimijima JP, Method and device for treating exhaust gas.
  7. Wakamatsu, Satoru; Oda, Hiroyuki, Method for producing silicon.
  8. Masuda, Nobuhisa; Tachino, Noboru, Method for separating and recovering conversion reaction gas.
  9. Bohmhammel, Klaus; Koether, Sven; Roewer, Gerhard; Roever, Ingo; Monkiewicz, Jaroslaw; Hoene, Hans-Juergen, Method for the production of HSiCl3 by catalytic hydrodehalogenation of SiCl4.
  10. Auner, Norbert, Method for the production of silicon from silyl halides.
  11. Auner, Norbert, Method for the production of silicon from silyl halides.
  12. Pfluegler, Bernhard; Ring, Robert, Method for the production of trichlorosilane.
  13. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi, Methods for introducing a first gas and a second gas into a reaction chamber.
  14. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi, Methods for producing polycrystalline silicon that reduce the deposition of silicon on reactor walls.
  15. Seung-hwan Lee KR; Yeong-kwan Kim KR; Dong-chan Kim KR; Young-wook Park KR, Methods of forming thin films by atomic layer deposition.
  16. Sarma Kalluri R. (Tempe AZ) Rice ; Jr. M. John (Tempe AZ) Lesk I. Arnold (Phoenix AZ) Nikirk Roger G. (Tempe AZ), Polycrystalline silicon production.
  17. Paetzold,Uwe; Reisbeck,Anton; Surner,Manfred, Process and apparatus for the hydrogenation of chlorosilanes.
  18. Knoth, Jens Felix; Eberle, Hans-Juergen; Ruedinger, Christoph, Process for converting silicon tetrachloride to trichlorosilane.
  19. Reuschel Konrad (Vaterstetten DEX) Dietze Wolfgang (Munich DEX) Rucha Ulrich (Munich DEX), Process for depositing elemental silicon semiconductor material from a gas phase.
  20. Hesse, Karl; Schreieder, Franz, Process for depositing polycrystalline silicon.
  21. Rodgers Michael A. (Tempe AZ), Process for manufacturing pure polycrystalline silicon.
  22. Kendig,James Edward; Landis,David Russell; McQuiston,Todd Michael; Zalar,Michael Matthew, Process for preparation of polycrystalline silicon.
  23. Blocher ; Jr. ; John M. ; Browning ; Melvin F., Process for silicon and trichlorosilane production.
  24. Weigert Wolfgang (Offenbach DEX) Meyer-Simon Eugen (Frankfurt DEX) Schwarz Rudolf (Wasserlos DEX), Process for the production of chlorosilanes.
  25. Weigert Wolfgang (Offenbach DEX) Meyer-Simon Eugen (Frankfurt DEX) Schwarz Rudolf (Wasserlos DEX), Process for the production of chlorosilanes.
  26. Bhusarapu, Satish; Huang, Yue; Gupta, Puneet, Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop systems.
  27. Bhusarapu, Satish; Huang, Yue; Gupta, Puneet, Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop systems.
  28. Bill, Jr., Jon M.; Merkh, Carl W., Silicon and catalyst material preparation in a process for producing trichlorosilane.
  29. Auner, Norbert; Holl, Sven; Bauch, Christian; Lippold, Gerd; Deltschew, Rumen, Solid polysilane mixtures.

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