[특허]Process for fabricating SiC semiconductor devices

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/205 C01B-031/36
출원번호	US-0508784 (1974-09-24)
발명자 / 주소	Powell J. Anthony (N. Olmsted OH) Will Herbert A. (N. Olmsted OH)
출원인 / 주소	The United States of America as represented by the United States National Aeronautics and Space Administration (Washington DC 06)
인용정보	피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 0

초록 ▼

Sections are cut from a SiC platelet such that the sections have a-faces parallel to the c-axis of the SiC platelet. The sections serve as substrates for the growth of SiC layers by attaching the substrates to a body which is then placed in a chamber and the chamber evacuated. Hydrogen is then admitted, and the body on which the substrates are mounted is heated to produce a temperature profile such that the subsequent admission of a carbon containing chlorosilane gas or a mixture of a chlorosilane gas and a hydrocarbon gas will cause free silicon to be deposited at one end of the body while SiC crystals grow on the substrates which are in a preferred temperature range. Dopant gases, either p-type or n-type, can be admitted with the chlorosilane or hydrocarbon gas to produce the desired type of semiconductor.

대표청구항 ▼

A method for epitaxially growing SiC having at least one face substantially parallel to the crystal c-axis; providing an elongated susceptor of a material which is substantially inert below a temperature of 2000°C and having a first end and a second end; attaching said substrate to said susceptor between said first and second ends; disposing said elongated susceptor and attached substrate in an elongated chamber; passing hydrogen over said one face of said substrate; heating at least a portion of said susceptor to establish a temperature gradient between said first and second ends; and passing a gas mixture comprised of hydrogen and a carbon containing chlorosilane over said susceptor and said substrate in a direction from said first end toward said second end, said temperature gradient being such that free silicon is deposited in a band at said first end of said susceptor and crystal growth on said substrate is effected.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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