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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0445667 (1974-02-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 0 |
There is a process for manufacturing SiH4 by the disproportionation or redistribution of HSiCl3 which comprises feeding HSiCl3 into a bed of insoluble solid anion exchange resin containing tertiary amino or quaternary ammonium groups bonded to carbon therein, refluxing the HSiCl3 to vaporize disprop
The process of producing SiH4 which comprises providing HSiCl3 in a bed of an insoluble, solid anion exchange resin congtaining tertiary amino or quaternary ammonium groups bonded to carbon thereof, maintaining the temperature of the bed where HSiCl3 is provided sufficient to cause said HSiCl3 to be
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