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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0555855 (1975-03-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 0 |
High density sintered silicon carbide articles are formed by first forming a green blank or billet out of powdered silicon carbide, heat treating the billet to cause it to lightly sinter and become partially densified, shaping the billet to the desired final dimensions and configuration, and fully s
A method for forming complexly shaped, dense silicon carbide articles comprising the steps of: a. forming a green blank comprised of powdered silicon carbide having an average particle size distribution of approximately 50 to 100% by weight of silicon carbide of approximately 3 microns, and 0 to 50%
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