최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0231416 (1972-03-02) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 33 인용 특허 : 0 |
This invention is a structure of, and method of forming, a thin film conductor which crosses either a thin film or thick film glazed circuit underlying structure. A selected low temperature curing insulative dielectric is disposed over a conductor which is to be crossed, and a thin film conductor pa
In a method of construction a thin film circuit, the steps of: a. sputtering a first conductive element selected from the group consisting of tantalum, titanium, nichrome, chromium and nickel and depositing second and third conductive elements on opposite sides thereof to one surface of an electrica
해당 특허가 속한 카테고리에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.