[특허]Silicon carbide sintered body

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C04B-035/56 C04B-035/64
출원번호	US-0698483 (1976-06-21)
발명자 / 주소	Prochazka Svante (Ballston Lake NY)
출원인 / 주소	General Electric Company (Schenectady NY 02)
인용정보	피인용 횟수 : 34 인용 특허 : 0

초록

A silicon carbide sintered body characterized by its microstructural stability at high temperatures is produced by forming a mixture of baa

대표청구항 ▼

A method of producing a silicon carbide sintered body having temperature-resistant properties which comprises providing a substantially homogeneous submicron particulate mixture consisting essentially of silicon carbide composed of b0.05% to 5% by weight of abb0.45 micron and said ab0.3% to 3.0% by weight of boron based on the total amount of silicon carbide, and an amount of a carbonaceous additive selected from the group consisting of free carbon and a carbonaceous organic material equivalent to 0.1% to 1.0% by weight of free carbon based on the total amount of silicon carbide, said carbonaceous organic material completely decomposing at a temperature ranging from about 50°C. to 1000°C. to said free carbon and gaseous products of decomposition, shaping the mixture into a green body, and sintering the green body at a temperature ranging from about 1950°C. to 2300°C. in an atmosphere in which it is substantially inert at atmospheric pressure or below atmospheric pressure to produce a sintered body having a density of at least 80% of the theoretical density for silicon carbide and containing a70% by weight of the total amount of silicon carbide.

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