[특허]Method of making silicon on sapphire field effect transistors with specifically aligned gates

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/86 H01L-027/12
출원번호	US-0860855 (1977-12-15)
발명자 / 주소	Weitzel Charles E. Capewell David R.
출원인 / 주소	RCA Corp.
대리인 / 주소	Christoffersen, H.Cohen, D.S.Asman, Sanford J.
인용정보	피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 2

초록 ▼

The method comprises forming a blind hole in a sapphire substrate using a sulfur hexafluoride gas etchant and an etch mask comprising a single layer of silicon nitride. The blind holes are filled with epitaxially grown silicon and field effect transistors are laid out with their gates orthogonal to a line which is at a 45.degree. angle to a standard wafer flat, i.e. orthogonal to the projection of the "c" axis onto the "r" plane of the sapphire wafer.

대표청구항

대표청구항이 없습니다.

이 특허에 인용된 특허 (2)

Weitzel Charles Edward (Dayton NJ), Method of etching sapphire utilizing sulfur hexafluoride.
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Thorsen ; Jr. Arthur C. (Orange County CA) Hughes Arlen J. (Tustin CA), Silicon on sapphire oriented for maximum mobility.
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이 특허를 인용한 특허 (15)

Vierheilig,Albert A.; Keener,Bruce, Gasoline sulfur reduction using hydrotalcite like compounds.
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Shinohara Mahito (Tokyo JPX) Yonehara Takao (Atsugi JPX), Method for making a photoelectric conversion device using an amorphous nucleation site.
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Shimada Tetsuya (Zami JPX) Itabashi Satoshi (Atsugi JPX) Hatanaka Katsunori (Yokohama JPX), Method of making a photosensor using selective epitaxial growth.
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Beetz ; Jr. Charles P. (New Milford CT), Method of making single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor device.
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Kinugawa Masaaki (Tokyo JPX), Method of manufacturing a semiconductor device.
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Collins, Christophe N.; Jammy, Rajarao; Messenger, Brian W.; Panda, Siddhartha, Method of trench sidewall enhancement.
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Vierheilig,Albert A., Mixed metal oxide additives.
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Vierheilig,Albert, Mixed metal oxide sorbents.
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Arikawa Shiro (Atsugi JPX) Yonehara Takao (Atsugi JPX), Photoelectric converter.
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Tokunaga Hiroyuki (Kawasaki JPX) Yamagata Kenji (Atsugi JPX) Yonehara Takao (Atsugi JPX), Process for producing compound semiconductor using an amorphous nucleation site.
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Mircea Andri S. (31 rue Frederic Mistral 91330 Yerres FRX), Reactor for vapor phase epitaxy.
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Kimura Minoru (Yokohama JPX) Takeuchi Bunzi (Sagamihara JPX), SOS Substrate for semiconductor device.
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Beetz ; Jr. Charles P. (New Milford CT), Single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor devices comprising same.
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Nishino Toshikazu,JPX ; Kawabe Ushio,JPX ; Tarutani Yoshinobu,JPX ; Kominami Shinya,JPX ; Aida Toshiyuki,JPX ; Fukazawa Tokuumi,JPX ; Hatano Mutsuko,JPX, Superconducting device.
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Ueda Daisuke,JPX ; Takagi Hiromitsu,JPX, Vertical insulated gate FET.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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