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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0580222 (1975-05-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 2 |
A valve metal anode, for electrolytical processes, having an electron-active covering layer, is prepared by anchoring electron-activating substances, counteracting passivation of the anode, in a sintered porous carrier layer of valve metal. The carrier layer which is sintered onto the cleaned valve
A method of making a valve metal anode, for electrolytical processes, having an electron-active cover layer, of sufficient corrosion resistance during electrolysis, and possessing good electron conductivity in the potential ranges used, in which active substances, counteracting passivation, are anch
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