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[미국특허] Negative ion extractor for a plasma etching apparatus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B01K-001/00
  • C23F-001/02
출원번호 US-0865811 (1977-12-30)
발명자 / 주소
  • Keller John H. (Newburgh NY) McKenna Charles M. (Fishkill NY)
출원인 / 주소
  • International Business Machines Corporation (Armonk NY 02)
인용정보 피인용 횟수 : 43  인용 특허 : 8

초록 ▼

Process and apparatus for use in extracting negative ions from a plasma which is particularly useful in reactive ion etching of metals, silicon and oxides and nitrides of silicon in the manufacture of semiconductor devices. A magnetic field is employed in the apparatus and, herein, is created by a n

대표청구항 ▼

In a plasma apparatus, for reactive ion etching, in which a plasma is separated from a substrate disposed in said apparatus and in which a potential is applied between said plasma and said substrate to attract species from the plasma and direct the species to said substrate, comprising the improveme

이 특허에 인용된 특허 (8) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Fletcher ; James C. Administrator of the National Aeronautics and Space ; Administration ; with respect to an invention of ; Wilhelm ; Horst E., Apparatus for extraction and separation of a preferentially photo-dissociated molecular isotope into positive and negat.
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  2. Boucher ; Bernard ; Luzet ; Daniel ; Sella ; Claude, Device for cathodic sputtering at a high deposition rate.
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  3. Gorinas Guy (Annecy FR), Device for the rapid depositing of oxides in thin layers which adhere well to plastic supports.
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  4. Calderon ; Arthur, Ion beam generator having concentrically arranged frustoconical accelerating grids.
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  5. Ducas Theodore W. (Cambridge MA), Isotope selective excitation and separation method and apparatus utilizing circularly polarized pulsed radiation.
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  6. Tsuchimoto ; Takashi, Plasma processor.
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  7. Stowell William R. (Columbus OH) Sagmuller Joseph R. (Columbus OH), Reacting coal.
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  8. Harvilchuck Joseph M. (Billings NY) Logan Joseph S. (Poughkeepsie NY) Metzger William C. (Beacon NY) Schaible Paul M. (Poughkeepsie NY), Reactive ion etching of aluminum.
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이 특허를 인용한 특허 (43) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Cuomo Jerome J. (Lincolndale NY) Kaufman Harold R. (Fort Collins CO), Apparatus and method for generating high current negative ions.
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  2. Fukuda,Akira; Shibata,Akio; Hiyama,Hirokuni; Ichiki,Katsunori; Yamauchi,Kazuo; Samukawa,Seiji, Beam source and beam processing apparatus.
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  3. Ichiki,Katsunori; Shibata,Akio; Fukuda,Akira; Hiyama,Hirokuni; Yamauchi,Kazuo; Samukawa,Seiji, Beam source and beam processing apparatus.
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  4. Hanawa,Hiroji; Tanaka,Tsutomu; Collins,Kenneth S.; Al Bayati,Amir; Ramaswamy,Kartik; Nguyen,Andrew, Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid.
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  5. Hanawa,Hiroji; Tanaka,Tsutomu; Collins,Kenneth S.; Al Bayati,Amir; Ramaswamy,Kartik; Nguyen,Andrew, Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids.
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  6. Hanawa, Hiroji; Tanaka, Tsutomu; Collins, Kenneth S.; Al-Bayati, Amir; Ramaswamy, Kartik; Nguyen, Andrew, Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids.
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  7. Tepman Avi ; Yin Gerald Zheyao ; Olgado Donald, Compartmentalized substrate processing chamber.
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  8. Tepman Avi ; Yin Gerald Zheyao ; Olgado Donald, Compartnetalized substrate processing chamber.
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  9. Degner, Raymond L.; Lenz, Eric H., Composite electrode for plasma processes.
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  10. Smith ; Jr. Elroy C. (La Habra CA) Yao Shi K. (Anaheim CA), Deposition of ordered crystalline films.
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  11. Fayfield, Robert T.; Schwab, Brent, Equipment for UV wafer heating and photochemistry.
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  12. Sharp-Geisler Bradley A. (San Jose CA), Etching plasma generator diffusor and cap.
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  13. Ito Akio (Yachimata JPX) Nakamura Kyuzo (Yachimata JPX) Ota Yoshifumi (Yachimata JPX) Yamada Taiki (Chiba JPX), Ferromagnetic high speed sputtering apparatus.
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  14. Nakamura Kyuzo (Yachimata JPX) Ohta Yoshifumi (Yachimata JPX) Yamada Taiki (Yachimata JPX), Ferromagnetic high speed sputtering apparatus.
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  15. Andrew Isaac Jeffryes GB, Gas delivery system.
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  16. Cuomo, Jerome J.; Kaufman, Harold R., Hall ion generator for working surfaces with a low energy high intensity ion beam.
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  17. Russo Carl J. (Ipswich MA), Ion chamber for electron-bombardment ion sources.
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  18. Harper James M. E. (Yorktown Heights NY) Kaufman Harold R. (Fort Collins CO), Ion source for reactive ion etching.
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  19. Smith Donald O. (Lexington MA) Burgess John R. (Dunstable MA) Walker David M. (Westford MA), Low defect etching of patterns using plasma-stencil mask.
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  20. Pays-Volard, David; Martinez, Linnell; Johnson, Chris; Johnson, David; Westerman, Russell; Grivna, Gordon M., Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer.
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  21. Kalnitsky Alexander (Ottawa CAX) Ellul Joseph P. (Nepean CAX) Tay Sing P. (Nepean CAX), Method and apparatus for removing coating from substrate.
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  22. Kalnitsky Alexander (Ottawa CAX) Ellul Joseph P. (Nepean CAX) Tay Sing P. (Nepean CAX) Poirier Jacques G. (Kanata CAX), Method and apparatus for removing coating from substrate.
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  23. Butterbaugh Jeffery W. ; Gray David C. ; Fayfield Robert T. ; Siefering Kevin ; Heitzinger John ; Hiatt Fred C., Method and apparatus for surface conditioning.
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  24. Kudo Hiroaki (Tenri JPX) Matsui Sadayoshi (Tenri JPX), Method for the production of semiconductor devices.
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  25. Nishizawa, Jun-ichi, Method of fabricating semiconductor device by dry process utilizing photochemical reaction, and apparatus therefor.
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  26. Hayashi Yutaka (Tsukaba JPX) Kondo Yasushi (Tsukaba JPX) Ishii Kenichi (Tsukaba JPX) Kinoshita Eita (Tsuchiura JPX), Method of gas reaction process control.
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  27. Ichiki, Katsunori; Yamauchi, Kazuo; Hiyama, Hirokuni; Samukawa, Seiji, Method of processing a surface of a workpiece.
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  28. Keller John Howard, Negative ion deductive source for etching high aspect ratio structures.
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  29. Sugioka Shinji (Kawasaki JPX), Photochemical vapor deposition apparatus.
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  30. Tanaka Kazuya (Kawasaki JPX) Sugioka Shinji (Kawasaki JPX), Photochemical vapor deposition apparatus.
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  31. Carroll John C. (Hayward CA) Shepherd ; Jr. Robert A. (Oakland CA), Plasma etching apparatus.
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  32. Zajac John (San Jose CA), Plasma etching electrode.
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  33. Hanawa, Hiroji; Tanaka, Tsutomu; Collins, Kenneth S.; Al-Bayati, Amir; Ramaswamy, Kartik; Nguyen, Andrew, Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid.
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  34. Hanawa, Hiroji; Tanaka, Tsutomu; Collins, Kenneth S.; Al-Bayati, Amir; Ramaswamy, Kartik; Nguyen, Andrew, Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids.
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  35. Kitagawa Hideo,JPX, Plasma processing apparatus.
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  36. Gorin Georges J. (Emeryville CA) Hoog Josef T. (Novato CA), Plasma reactor apparatus.
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  37. Kakehi Yutaka (Hikari JPX) Omoto Yutaka (Kudamatsu JPX) Harada Takeshi (Chiyoda JPX), Plasma treating method and apparatus therefor.
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  38. Ikeda Kiyoji (Hachioji JPX) Hayashida Tetsuya (Hinodemachi JPX), Plasma-etching apparatus.
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  39. Arnal Yves (44 Eybens FRX) Pelletier Jacques (Saint Martin D\Heres FRX) Pomot Claude (La Tronche FRX), Process and device for producing a homogeneous large-volume plasma of high density and of low electronic temperature.
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  40. Hideo Kitagawa JP, Process for producing a semiconductor device.
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  41. Ephrath Linda M. (Danbury CT), Reactive ion etching apparatus with interlaced perforated anode.
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  42. Brandeis Christine (Sindelfingen DEX) Kempf Jurgen (Schonaich DEX) Kraus Georg (Wildeberg DEX) Knzel Ulrich (Kusterdingen DEX), Reactor for reactive ion etching and etching method.
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  43. Homma Yoshio (Hinode JPX) Tsunekawa Sukeyoshi (Tokorozawa JPX) Sasabe Shunji (Iruma JPX), Sputtering apparatus.
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