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특허 상세정보

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Process for manufacturing pure polycrystalline silicon

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C01B-033/00    C01B-033/02   
미국특허분류(USC) 427/86 ; 423/349 ; 423/350 ; 427/95
출원번호 US-0899125 (1978-04-24)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 9  인용 특허 : 2
초록

A process for the production of high purity polycrystalline silicon from a mixture of silicon tetrachloride and trichlorosilane. Such a mixture can be used for the rapid deposition of polycrystalline silicon while, at the same time, producing an excess of trichlorosilane in exhaust gases from the reaction. The process permits the modification of the reactor design for the economical and energy conscious production of polycrystalline silicon.

대표
청구항
▼

A process for producing pure semiconductor grade polycrystalline silicon in a reaction chamber having insulated walls comprising the steps of: introducing about 7 to 8.2 mole percent trichlorosilane in hydrogen into said reaction chamber through inlets located near the center of said chamber; introducing about 12 to 13 mole percent silicon tetrachloride in hydrogen into said reaction chamber through inlets located in close proximity to said insulated walls of said reaction chamber; mixing said silicon tetrachloride and trichlorosilane in hydrogen within ...

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. Setty H. S. N. (Dalas TX) Yaws Carl L. (Dalas TX) Martin Bobby Ray (Plano TX) Wangler Daniel Joseph (Irving TX). Method of operating a quartz fluidized bed reactor for the production of silicon. USP1976063963838.
  2. Rodgers Michael A. (Tempe AZ). Process for production of polycrystalline silicon. USP1976013933985.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 9

  1. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi. Fluidized bed reactor systems. USP2014128906313.
  2. Erk, Henry F.. Fluidized bed reactor systems and distributors for use in same. USP2014098828324.
  3. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi. Methods for introducing a first gas and a second gas into a reaction chamber. USP2014058728574.
  4. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi. Methods for producing polycrystalline silicon that reduce the deposition of silicon on reactor walls. USP2013038404206.
  5. Seung-hwan Lee KR; Yeong-kwan Kim KR; Dong-chan Kim KR; Young-wook Park KR. Methods of forming thin films by atomic layer deposition. USP2002106468924.
  6. Flagella Robert N. (Ridgefield WA) Dawson Howard J. (Washougal WA). Polycrystalline silicon capable of yielding long lifetime single crystalline silicon. USP1990054921026.
  7. Sarma Kalluri R. (Tempe AZ) Rice ; Jr. M. John (Tempe AZ) Lesk I. Arnold (Phoenix AZ) Nikirk Roger G. (Tempe AZ). Polycrystalline silicon production. USP1982034321246.
  8. Breneman William C. (Sistersville WV) Flagella Robert N. (Ridgefield WA) Gaston Jon M. (Montreal WA CAX) Hagan David W. (Vancouver WA). Process for the production of ultra high purity polycrystalline silicon. USP1989054826668.
  9. Chu, Xi. Reactor and method for producing high-purity granular silicon. USP2013098535614.

IPC 상위 출원인