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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0925590 (1978-07-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 1 |
Solid aluminum nitride, deposited for example, in epitaxial layers, is prepared by reacting aluminum and selenium to form aluminum monoselenide, and transporting the aluminum monoselenide in an inert carrier gas to a heated deposition zone where it is contacted with and reacts with nitrogen to give
A process for the production of aluminum nitride including the steps of heating aluminum and selenium at a temperature at which they react together to form aluminum monoselenide, transporting aluminum monoselenide so formed in an inert carrier gas to a reaction zone heated at a temperature in the or
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