최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0826939 (1977-08-22) |
우선권정보 | DE-2639799 (1976-09-03) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 4 |
A planar transistor has its base-collector-pn-junction bridged with a Schottky diode, wherein the degree of coupling of the Schottky diode is modified by means of a semiconducting layer with non-homogenous doping.
In a transistor structure having a planar transistor and a Schottky diode combined in a common semiconductor crystal, said transistor having base, emitter and collector zones, and said Schottky diode being connected between said base and collector zones by means of a doped buried layer zone, the imp
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.