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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0911843 (1978-06-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 55 인용 특허 : 1 |
A photovoltaic cell and a process of making and using it are disclosed wherein extremely thin semiconductor layers are provided through the use of polycrystalline CdS and CdTe. The cell has conversion efficiencies as high as 6% or more when exposed to AM2 light.
In a photovoltaic cell comprising first and second contiguous crystalline layers containing, respectively, p-type cadmium telluride and n-type cadmium sulfide, and electrodes in operative, low-impedance contact with at least part of said layers, the improvement wherein both said cadmium telluride an
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