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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0922719 (1978-07-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
A gasless ion plating process wherein plating material is melted, vaporized, and then subjected to an ionization environment in a low pressure chamber with a “virtual cathode”consisting of a plasma of ionized atoms of evaporant material created by evaporating in an RF field. It is a gasless ion plat
A process for ion plating a substrate supported within a chamber with a plating material and in the absence of any inert gas inputted to said chamber, comprising the steps of: evacuating said chamber, vaporizing plating material in the evacuated chamber, developing a direct current negative bias on
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