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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0042401 (1979-05-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 84 인용 특허 : 6 |
A process is disclosed for gettering deleterious metal impurities, particularly the transition metals such as Cu, Fe, Co, Ni and Cr from silicon wafers by high temperature treatment for a comparatively short time in a hydrogen chloride vapor at low oxygen pressure. The low oxygen pressure inhibits t
In a process for gettering transition metal impurities from a body of silicon semiconductor material which comprises heating the body in an ambient which includes hydrogen chloride and dry oxygen the improvement comprising the ambient comprises by volume, hydrogen chloride about 0.5 percent, oxygen
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