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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0021403 (1979-03-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 4 |
A method of pressureless sintering silicon carbide mixtures to obtain a sintered, dense product when the silicon carbide starting materials do not include a densification aid, such as boron, beryllium or aluminum, is described. The starting materials are mixtures containing predominantly particulate
A method of sintering under substantially pressureless conditions a mixture consisting of particulate silicon carbide containing less than about 6.0 percent by weight carbon in the form of elemental carbon or a carbon source material comprising the steps of: a. forming a compact of said mixture, and
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