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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0091916 (1979-11-06) |
우선권정보 | GB-0046345 (1978-11-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 0 |
A low melting point glass for semiconductor device encapsulation. The glass is based on the lead oxide/phosphorus pentoxide/vanadium pentoxide system and has a thermal coefficient of expansion similar to that of a copper alloy lead frame. The glass is applied to a device as a frit which is then heat
A glass composition consisting essentially of 56 to 58 mol % lead oxide (PbO), 22 to 28 mol % vanadium pentoxide (V2O5) and 16 to 20 mol % phosphorus pentoxide (P2O5) wherein the bulk resistivity of said glass composition is at least 1×1011 ohm cm. and the coefficient of thermal expansion of said gl
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