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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0108070 (1979-12-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
A random access memory system is disclosed in which data stored in two distinct memory locations defined by distinct address signals can be non-destructively read out simultaneously. The system employs a matrix of two-port memory cells, each cell functioning to store one binary bit of data in a conv
In a random access memory system comprising a plurality of bit storage cells any two of which are individually addressable during a reading operation to simultaneously provide to first and second sense amplifiers, signals corresponding to the binary value of the data stored in said cells at said two
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