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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0201660 (1980-10-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 0 |
A method for purifying silicon which employes an electrolytic step using a metal fluoride electrolysis to generate silicon fluoride followed by a chemical reaction step which produces elemental silicon in a highly pure form.
In a method for purifying silicon which contains impurities, the improvement comprising providing said impure silicon in electrode form, employing said electrode as the anode in a heated electrolytic cell, said elecytrolytic cell also containing a cathode, an inert atmosphere, and an electrolyte, sa
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