[특허]Method of fabricating semiconductor junction device employing separate metallization

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[미국특허] Method of fabricating semiconductor junction device employing separate metallization 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-031/18
출원번호	US-0113574 (1980-01-21)
발명자 / 주소	Lin Hung Chang (8 Schindler Ct. Silver Spring MD 20903)
인용정보	피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method of fabricating a p-n junction device such as solar cells using metal contacts for p regions and n region heat-treated at two different temperatures. A metal with low work functions is heated first to a high temeperature for making ohmic contact to a p-type semiconductor substrate, and then at low temperature for contacting the n-type region. A metal with high work function is heated first to a high temperature for contacting an n-type semiconductor substrate and then at low temperature for contacting the p-type region.

대표청구항 ▼

A method of contacting a semiconductor junction device comprising the steps of forming a pn or an np junction on a doped semiconductor substrate of one conductivity type by creating a thin layer of opposite conductivity type on said substrate, depositing a layer of a metal on said substrate, heating said substrate and said metal at first temperature to form an ohmic contact, depositing a layer of the same metal on said thin layer of opposite conductivity type, heating said substrate and said metal to a second temperature which is lower than said first temperature, said second temperature being sufficient to form an ohmic contact between said metal and said thin layer but insufficient to form an ohmic contact between said metal and said substrate.

이 특허를 인용한 특허 (16) 인용/피인용 타임라인 분석

Adibi, Babak; Murrer, Edward S., Application specific implant system and method for use in solar cell fabrications.
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Kavalieros, Jack T.; Mukherjee, Niloy; Dewey, Gilbert; Somasekhar, Dinesh; Doyle, Brian S., Embedded memory cell and method of manufacturing same.
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Marks Alvin M. (Bigelow Rd. Athol MA 01331), Femto Diode and applications.
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Prabhakar, Vinay; Adibi, Babak, Grid for plasma ion implant.
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Prabhakar, Vinay; Adibi, Babak, Grid for plasma ion implant.
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Adibi, Babak; Chun, Moon, Ion implant system having grid assembly.
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Adibi, Babak; Chun, Moon, Method for ion implant using grid assembly.
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Bandic, Zvonimir Z.; Piquette, Eric C.; McGill, Thomas C., Multiple stage high power diode.
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Adibi, Babak; Chun, Moon, Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications.
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Adibi, Babak; Murrer, Edward S., Solar cell fabrication with faceting and ion implantation.
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Petroff Michael D. (Fullerton CA) Stapelbroek Maryn G. (Santa Ana CA) Kleinhans William A. (Santa Ana CA), Solid state photomultiplier.
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Pederson, Terry; Hieslmair, Henry; Chun, Moon; Prabhakar, Vinay; Adibi, Babak; Bluck, Terry, Substrate processing system and method.
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Woodin, Richard L.; Seng, William F., Uniform contact.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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