[특허]Semiconductor device having a body of amorphous silicon and method of making the same

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-011/00
출원번호	US-0124645 (1980-02-25)
발명자 / 주소	Carlson David E. (Yardley PA)
출원인 / 주소	RCA Corporation (New York NY 02)
인용정보	피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 0

초록

An amorphous silicon material, fabricated by the process of a glow discharge in silane, is utilized as the body of semiconductor devices.

대표청구항 ▼

A method of fabricating an amorphous silicon semiconductor device incorporating a rectifying junction, said method comprising: placing an electrically conductive substrate in a glow discharge apparatus; reducing the pressure in said apparatus to a pressure of from about 10-3 to about 10-6 Torr; heating said substrate to a temperature of from about 150°to about 450°C.; initiating a glow discharge in an atmosphere including silane at a pressure of about 0.1 to about 0.5 Torr so as to form a body of amorphous silicon on said electrically conductive substrate; continuing said glow discharge while altering the relative proportion of silane and conductivity modifiers such that said body has layers of differing conductivity, said layers forming rectifying junction; and fabricating an electrical contact to said body of amorphous silicon opposite to the surface contacting said electrically conductive substrate. A glow discharge apparatus capable of depositing a body of amorphous silicon on the surface of a substrate, wherein said body of amorphous silicon can form a rectifying junction within said body or at the surface of said body, said apparatus comprising; a vacuum chamber; an electrode in said vacuum chamber electrically connected to a terminal of a DC power source; a heating element in said vacuum chamber capable of upholding said substrate; a screen electrode in said vacuum chamber electrically connected to an opposite terminal of said DC power source and spaced between said electrode and said heating element with the spacing between screen electrode and said substrate at a pressure of from about 0.1 to about 5.0 Torr being on the order of the cathode dark space region of the glow discharge; and a source adapted to incorporate N-type or P-type dopants into said vacuum chamber during the fabrication said body of amorphous silicon.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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