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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0221448 (1980-12-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 5 |
The method for producing a silicon carbide structure comprises the stages of immersing the carbon structure into a bath containing 20 to 40% by weight of silicon powder in suspension in a liquid medium containing 10 to 30% by weight of fugitive resin, the remainder being constituted by a resin solve
A method for producing a silicon carbide structure, comprising the steps consisting in: impregnating a carbon structure by immersion into a bath containing 10 to 30% by weight of fugitive resin, 20 to 40% by weight of silicon powder in suspension, the remainder being essentially constituted by a sol
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