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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0233691 (1981-02-12) |
우선권정보 | JP-0028599 (1978-03-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 0 |
Silicon carbide powders suitable for producing sintered body having a high density are produced by reacting 1.7 to 2.1 parts by weight of silicon monoxide with 1.0 part by weight of finely divided carbon at a temperature of 1,200°to 1,500°C. under a reduced pressure of lower than 10 mmHg.
Sinterable silicon carbide powders having submicron grain size produced by reacting 1.8 to 2.0 parts by weight of silicon monoxide with to 1.0 part by weight of finely divided carbon at a temperature of 1,340°to 1,440°C. under an essentially inert atmosphere at a reduced pressure of less than 10 mmH
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