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Process for making solar cell base material 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-011/02
출원번호 US-0115317 (1980-01-25)
우선권정보 DE-2903061 (1979-01-26)
발명자 / 주소
  • Ast Gerhard (Emmerting DEX) Dietl Josef (Neutting DEX) Helmreich Dieter (Burghausen DEX) Miller Hans-Dieter (Stammham DEX) Sirtl Erhard (Marktl/Inn DEX)
출원인 / 주소
  • Heliotronic Forschungs-und Entwicklungsgesellschaft fur Solarzellen-Grundstoffe mbH (Burghausen DEX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 4

초록

Competitive current generation by the exploitation of solar energy requires cheap solar cells. A process is described which makes it possible to manufacture from silicon a base material for solar cells of this type in an economical manner and in large quantities. This is achieved by bringing silicon

대표청구항

In a process for the manufacture of granular crystalline silicon sheets of preferred orientation, having a thickness of between 0.2 and 2 mm and suitable for use as a base material for solar cells, wherein a silicon melt is brought into contact with a second molten phase and is subsequently allowed

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Lorenzini Robert E. (Menlo Park CA) Iwata Akiyoshi (Sunnyvale CA) Lorenz Karl (Redwood City CA), Continuous crystal growing furnace.
  2. Lindmayer Joseph (Bethesda MD), Fabrication of thin film solar cells utilizing epitaxial deposition onto a liquid surface to obtain lateral growth.
  3. Shudo Taro (Tokyo JPX) Kudo Bosshi (Nagareyama JPX) Tamai Yasushi (Noda JPX), Lateral pulling growth of crystal ribbons and apparatus therefor.
  4. Hirano Hitoshi (Kanagawa JA) Fukuda Tsuguo (Yokohama JA), Method of growing multiple monocrystalline layers.

이 특허를 인용한 특허 (8)

  1. Sanjurjo Angel (San Jose CA), Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid.
  2. Yamada Toru,JPX ; Tokunaga Katsushi,JPX ; Hirasawa Teruhiko,JPX, Ga-doped multi-crytsalline silicon, Ga-doped multi-crystalline silicon wafer and method for producing the same.
  3. Santini, Jr., William A., Manufacture of sheets of controlled thickness from meltable material.
  4. Hongu Tatsuhiko,JPX ; Kimura Tomishi,JPX, Method for purification of silicon.
  5. Aulich Hubert (Munich DEX) Schulze Friedrich-Wilhelm (Eching DEX), Method for separating solid reaction products from silicon produced in an arc furnace.
  6. Nanis Leonard (Palo Alto CA) Sanjurjo Angel (San Jose CA), Process and apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid.
  7. Geissler Joachim (Stammham DEX) Helmreich Dieter (Burghausen DEX), Process for the manufacture of coarsely crystalline to monocrystalline sheets of semiconductor material.
  8. Kellerman, Peter L.; Sun, Dawei; Helenbrook, Brian; Harvey, David S., Removing a sheet from the surface of a melt using elasticity and buoyancy.
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