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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0237227 (1981-02-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 14 |
Dense silicon nitride bodies are fabricated using conventional hot-pressing techniques using cerium oxide as a densification aid. The bodies are then further treated in a flowing inert atmosphere at a temperature of from 1400°-1600°C. for from several hours to 48 hours to remove all or substantially
In a method of fabricating a silicon nitride body including the steps of mixing silicon nitride powder with from 1.0 to 2.5% by weight cerium oxide powder and compressing the mixture in an inert atmosphere at a pressure of from 4000-7000 psi and at a temperature of from 1650°-1800°C. for a time suff
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