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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0279614 (1981-07-01) |
우선권정보 | JP-0089104 (1980-07-02); JP-0020113 (1981-02-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 1 |
A process of preparing silicon tetrafluoride by introducing hydrogen fluoride gas into a dispersion of powdery silicon oxide material, which needs not to be pure SiO 2, in sulfuric acid not lower than 65% in the concentration of H 2 SO 4 . The reaction takes place even at room temperature. By using
1. A process of preparing silicon tetrafluoride, comprising the step of introducing hydrogen fluoride gas into a slurry obtained by dispersing a silicon oxide material in finely divided form in sulfuric acid wherein the principle component of said silicon oxide material is amorphous silicon oxide su
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