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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0120429 (1980-02-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 0 |
A fault tolerant memory device includes an array of rows and columns of dynamic random access memory cells and a set of EPROM cells of the floating gate type laid out with the same pitch, one aligned with each row, to store the identity of rows having bad cells. The EPROM cells are formed in preferr
A fault tolerant semiconductor memory device formed in a face of a semiconductor body comprising: a data memory array at said face composed of rows and columns of read/write memory cells, and a plurality programmable cells laid out at said face in rows of the same pitch as and aligned with said rows
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