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[미국특허] Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-015/00
출원번호 US-0295839 (1981-08-24)
발명자 / 주소
  • Moran Joseph M. (Berkeley Heights NJ)
출원인 / 주소
  • Bell Telephone Laboratories, Incorporated (Murray Hill NJ 02)
인용정보 피인용 횟수 : 29  인용 특허 : 6

초록 ▼

In a plasma-assisted etching apparatus and method, surfaces in the reaction chamber are covered with a layer of a polyarylate polymer. Contamination of wafers during the etching process is thereby substantially reduced. In practice, this leads to a significant increase in the yield of acceptable chi

대표청구항 ▼

Apparatus for plasma-assisted dry etching of a layer formed on a wafer, said apparatus comprising a reaction chamber, means for establishing an etching plasma within said chamber, said chamber including surfaces exposed to said plasma, and a covering of a polyarylate polymer on at least some of said

이 특허에 인용된 특허 (6) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Hom-Ma Yoshio (Kokubunji JA) Kaji Tadao (Tokyo JA), Fabricating semiconductor device utilizing a physical ion etching process.
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  2. Lepselter Martin P. (Summit NJ), High capacity sputter-etching apparatus.
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  3. Lifshitz Nadia (New Providence NJ) Moran Joseph M. (Berkeley Heights NJ) Wang David N. (Cupertino CA), High-selectivity plasma-assisted etching of resist-masked layer.
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  4. Poliniak Eugene S. (Willingboro NJ) Desai Nitin V. (Edison NJ), Method for forming a surface relief pattern in a poly(olefin sulfone) layer.
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  5. Poliniak ; Eugene S. ; Desai ; Nitin V., Method of transferring a surface relief pattern from a wet poly(olefin sulfone) layer to a metal layer.
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  6. Lewis James M. (Aurora OH) McInerney Eugene F. (Chagrin Falls OH), Plasma developable photoresist composition with polyvinyl formal binder.
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이 특허를 인용한 특허 (29) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Hajj John G. (Amesbury MA), Automatically loadable multifaceted electrode with load lock mechanism.
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  2. O'Donnell, Robert J.; Daugherty, John E.; Chang, Christopher C., Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof.
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  3. O'Donnell, Robert J.; Daugherty, John E.; Chang, Christopher C., Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof.
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  4. Pavone Peter J. (Wappingers Falls NY) Van Demark Richard D. (Wappingers Falls NY), Composite pallet.
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  5. Polinsky,William A.; Crane,Bill; Gonzales,John C.; Ott,Steven, Conditioning of a reaction chamber.
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  6. Polinsky,William A.; Crane,Bill; Gonzales,John C.; Ott,Steven, Conditioning of a reaction chamber.
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  7. Watanabe Koji,JPX, Dry etching apparatus.
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  8. Allen ; III Tuman Earl, Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers.
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  9. Allen, III, Tuman Earl, Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers.
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  10. Allen, III, Tuman Earl, Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers.
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  11. Allen, III, Tuman Earl, Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers.
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  12. Tuman Earl Allen, III, Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers.
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  13. Tuman Earl Allen, III, Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers.
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  14. Horwitz Christopher M. (Summer Hill AUX), Gas mixtures for aluminum etching.
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  15. Scherer Michael (Rodenbach DEX) Kubacha Karl-Heinz (Bruchkbel DEX), High-power cathode system for producing multilayers.
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  16. Jaffe Peter R. (Hove GB2) Fairbairn Kevin (Partridge Green GB2), Method and apparatus for preventing cross contamination of species during the processing of semiconductor wafers.
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  17. Chakrabarti Utpal Kumar ; Chen Paul Sangone ; Przybylek George John ; Rinaudo Dominic Paul, Method and fixture for laser bar facet coating.
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  18. Chakrabarti Utpal Kumar ; Chen Paul Sangone ; Przybylek George John ; Rinaudo Dominic Paul, Method and fixture for laser bar facet coating.
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  19. Trapp,Shane J., Method for forming a contact opening in a semiconductor device.
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  20. Allen, III, Tuman Earl, Methods of forming silicon nitride spacers, and methods of forming dielectric sidewall spacers.
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  21. Sharan Sujit ; Sandhu Gurtej S., Plasma deposition tool operating method.
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  22. Donohoe Kevin G. ; Stocks Richard L., Plasma etching methods.
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  23. Donohoe, Kevin G.; Stocks, Richard L., Plasma etching methods.
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  24. Donohoe, Kevin G.; Stocks, Richard L., Plasma etching methods.
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  25. Koroyasu,Kunihiko; Furuse,Muneo; Tamura,Tomoyuki, Plasma processing apparatus, protecting layer therefor and installation of protecting layer.
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  26. Leung Cissy S. ; Lei Lawrence Chung-Lai ; Somekh Sasson, Plasma-inert cover and plasma cleaning process and apparatus employing same.
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  27. Vratny Frederick (Berkeley Heights NJ), Polyarylate polymer coatings.
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  28. Alexander ; Jr. Frank B. (Totowa NJ) Foo Pang-Dow (Berkeley Heights NJ) Schutz Ronald J. (Warren NJ), Selective etching process.
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  29. Yuuki Tomohiro (Hamamatsu JPX), Thermal treatment with enhanced intra-wafer, intra-and inter-batch uniformity.
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