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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0237996 (1981-02-05) |
우선권정보 | FR-0009112 (1980-04-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 1 |
This device incorporates a photosensitive (1) constituted by a matrix of photosensitive points. Each photosensitive point has a charge reading diode D1. Metallic connections (C1 to C4) connect the reading diodes of the same column to a single diode (D2), followed by a grid G2 raised to a constant po
A photosensitive device read by charge transfer, wherein it has n lines of m photosensitive points, each photosensitive point being constituted by the integration of a semiconductor substrate of an MOS capacitor (CO), having a grid G0 common to the points of the same line and a reading diode D1 sepa
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