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Photosensitive device read by charge transfer 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H04N-003/14
출원번호 US-0237996 (1981-02-05)
우선권정보 FR-0009112 (1980-04-23)
발명자 / 주소
  • Berger Jean Luc (Paris FRX)
출원인 / 주소
  • Thomson CSF (Paris FRX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 17  인용 특허 : 1

초록

This device incorporates a photosensitive (1) constituted by a matrix of photosensitive points. Each photosensitive point has a charge reading diode D1. Metallic connections (C1 to C4) connect the reading diodes of the same column to a single diode (D2), followed by a grid G2 raised to a constant po

대표청구항

A photosensitive device read by charge transfer, wherein it has n lines of m photosensitive points, each photosensitive point being constituted by the integration of a semiconductor substrate of an MOS capacitor (CO), having a grid G0 common to the points of the same line and a reading diode D1 sepa

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. Sakane Toshio (Yokohama JPX) Tsunekawa Tokuichi (Yokohama JPX), MOS-Image sensor.

이 특허를 인용한 특허 (17)

  1. Berger Jean-Luc (Grenoble FRX) Brissot Louis (St. Egreve FRX) Cazaux Yvon (Grenoble FRX), Analysis process of a line transfer photosensitive device and operating device of such a process.
  2. Boucharlat Gilles (Grenoble FRX) Cazaux Yvon (Grenoble FRX) Chabbal Jean-Joseph (Saint Egreve FRX), Anti dazzle device for a charge transfer image sensor and an image sensor including such a device.
  3. Corcoran, John J.; Blalock, Travis N.; Voorde, Paul J. Vande; Knotts, Thomas A.; Gaddis, Neela B., Apparatus and method for protecting integrated circuit charge storage elements from photo-induced currents.
  4. Kosonocky Walter F. (Somerset County NJ), CCD imager with photodetector bias introduced via the CCD register.
  5. Yamawaki Masao (Hyogo JPX) Kawashima Hiroshi (Itami JPX), CSD image sensor and method of decreasing smear by the user thereof.
  6. Bencuya Selim S. (Newton MA) Michon Gerald J. (Waterford NY) Tiemann Jerome J. (Schenectady NY) Toker James R. (Cambridge MA) Vogelsong Thomas L. (Schenectady NY), Charge injection device with low noise readout.
  7. Bosiers Jan T.J.,NLX ; Dillen Bartholomeus G.M.H.,NLX, Charge-coupled imaging device having electrical connections on the readout register side.
  8. Munier Bernard (Seyssinet Pariset FRX), Device photosensitive to infra-red radiation.
  9. Suga Akira (Tokyo JPX), Electronic still camera with a solid state image pickup whose output part is kept from being driven during a major part.
  10. Hieda Teruo (Yokohama JPX) Hirano Yoshiaki (Kawagoe JPX), Image pickup apparatus having saturation prevention control modes.
  11. Ishida Tokuji (Osaka JPX) Norita Toshio (Osaka JPX) Hasegawa Jun (Osaka JPX), Image sensing device having direct drainage of unwanted charges.
  12. Ishida Tokuji (Osaka JPX) Norita Toshio (Osaka JPX) Hasegawa Jun (Osaka JPX), Image sensing system.
  13. Berger Jean L. (Grenoble FRX) Brissot Louis (St. Egreve FRX) Cazaux Yvon (Grenoble FRX), Line-transfer photosensitive device.
  14. Shinbori Kenichi (Yokohama JPX) Ishikawa Kazuo (Yokohama JPX), Method of driving a solid state image pickup device.
  15. Ohta, Hisao; Baji, Toru; Izawa, Yuji; Ebisui, Eizou; Tsukada, Toshihisa; Yamamoto, Hideaki, Optical image sensor apparatus with grouped photosensors connected in common.
  16. Harada, Nozomu; Endo, Yukio; Yoshida, Okio; Matsunaga, Yoshiyuki, Solid state image sensor.
  17. Ozaki Toshifumi (Tokyo JPX) Ohba Shinya (Kanagawa JPX) Takemoto Iwao (Tokyo JPX) Nakai Masaaki (Tokorozawa JPX) Ando Haruhisa (Hachioji JPX) Nagahara Shusaku (Hachioji JPX) Imaide Takuya (Yokohama JP, Solid-state imaging device with high quasi-signal sweep-out efficiency and high signal charge transfer efficiency.
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