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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0302950 (1981-09-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 3 |
A first metal surface of a first article of metal, such as the metalization layer on a silicon semiconductor device, is bonded to an opposing or second metal surface of a second article of metal, such as a “structured copper”strain buffer, using an improved method of thermo-compression diffusion bon
An improved method of thermo-compression diffusion bonding a first metal surface of a first article of metal to a second metal surface of a second article of metal, said second article of metal comprising a metalized layer on a semiconductor device, the improved method comprising the steps of: (a) e
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