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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0398871 (1982-07-14) |
우선권정보 | JP-0113878 (1981-07-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 1 |
The invention relates to semiconductor chip mounting substrate for use in semiconductor apparatus, wherein metal material or multi-laminated metal material is coated on its surface and/or lateral faces with thin film of insulated inorganic matter in order to obtain an insulated substrate not only ca
A substrate for a semiconductor apparatus characterized in that the surface and lateral faces of a metal material or multi-laminated metal material are coated with at least one thin layer of insulative inorganic matter to a thickness of 0.1_20mby means of a PVD method or CVD method, said metal mater
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